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IRFR220BTM

N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= 200V, ID= 30 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

2 AMPERE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(VOLTAGE - 20 to 100 Volts CURRENT - 2.0 Amperes)

VOLTAGE 20 to 100 Volts CURRENT 2.0 Amperes FEATURES • Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-O utilizing Flame Retardant Epoxy Molding Compound. • Exceeds environmental standards of MIL-S-19500/228 • For use in low voltage,high frequency inverters

PANJIT

強茂

AXIAL LEAD BI-DIRECTIONAL THYRISTOR SURGE PROTECTOR DEVICE

FEATURES • Protects by limiting voltages and shunting surge currents away from sensitive circuits • Designed for telecommunications applications such as line cards, modems, PBX, FAX, LAN,VHDSL • Helps meet standards such as GR1089, ITU K.20, IEC950, UL1459&50, FCC part 68 • Low capacitance

PANJIT

強茂

1.75 mm X 7.0 mm Series

文件:31.9 Kbytes Page:1 Pages

PANASONIC

松下

Silicon planar type

文件:49.05 Kbytes Page:4 Pages

PANASONIC

松下

Silicon planar type

文件:41.87 Kbytes Page:2 Pages

PANASONIC

松下

IRFR220BTM产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR220BTM

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2026-7-31 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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