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IRFP354

Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.35ohm, Id=14A)

DESCRIPTION Third Generation HEXFETs from international Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast S

IRF

IRFP354

Power MOSFET(Vdss=450V, Rds(on)=0.35ohm, Id=14A)

Infineon

英飞凌

HEXFET짰PowerMOSFET

文件:1.80034 Mbytes Page:8 Pages

IRF

ACD354x Single Channel 14-bit 250MSPS and 500MSPS Analog-to-Digital Converter (ADC)

1 Features • 14-bit, single channel 250 and 500MSPS ADC • Noise spectral density: -158.5dBFS/Hz • Thermal Noise: 74.5dBFS • Single core (non-interleaved) ADC architecture • Power consumption: – 435mW (500MSPS) – 369mW (250MSPS) • Aperture jitter: 75fs • Buffered analog inputs – Programma

TI

德州仪器

FUSE HOLDER SELECTION GUIDE

文件:258.149 Kbytes Page:4 Pages

Littelfuse

力特

THRU-HOLE THREADED INSERT W/FLANGE

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WITTEN

Fuse Blocks and Clips - For 3AG Fuses

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Littelfuse

力特

REMOCON MODULE

文件:303.32 Kbytes Page:8 Pages

E-OEC

IRFP354产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFP354

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 450V 14A TO-247AC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-11-24 16:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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