型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFH5210TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

文件:239.08 Kbytes Page:8 Pages

IRF

IRFH5210TR2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFH5210TR2PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 100V 55A 14.9mOhm 39nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 15:22:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR/INFI
24+
PQFN
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
IR/INFINEON
22+
PQFN
20000
公司只做原装 品质保障
IR
23+
DFN5X6
8000
只做原装现货
IR
23+
DFN5X6
7000
Infineon Technologies
22+
8PowerVDFN
9000
原厂渠道,现货配单
原装IR
1923+
PQFN
6800
只做全新原装公司现货价格优惠可谈
IR/INFINEON
23+
PQFN
12800
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
NK/南科功率
2025+
DFN5X6L-8
986966
国产
IR
24+
DFN5X6
60000
IR
1234+
PQFN5X6
100
上传都是百分之百进口原装现货

IRFH5210TR2PBF芯片相关品牌

IRFH5210TR2PBF数据表相关新闻