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IRFH5006TR2PBF

HEXFETPowerMOSFET

FeaturesandBenefits Features LowRDSon(≤4.1mΩ) LowThermalResistancetoPCB(≤0.8°C/W) 100Rgtested LowProfile(≤0.9mm) Industry-StandardPinout CompatiblewithExistingSurfaceMountTechniques RoHSCompliantContainingnoLead,noBromideandnoHalo

IRFInternational Rectifier

英飞凌英飞凌科技公司

IRF

IRFH5006TR2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFH5006TR2PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-16 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
2020+
PQFN
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
23+
PQFN
12000
原装正品真实现货杜绝虚假
IR
QFN
265209
假一罚十原包原标签常备现货!
IR
1923+
QFM56
5000
正品原装品质假一赔十
IR
23+
PQFN
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
22+
QFN
10000
只做原装开票可咨询
IR/INFINEON
24+23+
DFN5X6
12580
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品
Infineon Technologies
21+
8PowerVDFN
13880
公司只售原装,支持实单
Infineon Technologies
22+
8PowerVDFN
9000
原厂渠道,现货配单

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