型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRFH5006TR2PBF

HEXFET Power MOSFET

Features and Benefits Features Low RDSon (≤ 4.1mΩ) Low Thermal Resistance to PCB (≤ 0.8°C/W) 100 Rg tested Low Profile (≤ 0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halo

IRF

IRFH5006TR2PBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFH5006TR2PBF

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 60V 100A 4.1mOhm 67nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-28 16:46:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
25+
QFN
30000
代理全新原装现货,价格优势
INFINEON
25+
QFN
2300
原厂原装,价格优势
IR
2450+
QFN
9485
只做原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon Technologies
22+
8PowerVDFN
9000
原厂渠道,现货配单
IR
12+
PQFN
100
IR
17+
QFM56
6200
100%原装正品现货
IR
24+
PQFN
80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ir
25+
500000
行业低价,代理渠道
IR
22+
QFN
20000
公司只做原装 品质保障
IR
23+
QFN
8000
只做原装现货

IRFH5006TR2PBF芯片相关品牌

IRFH5006TR2PBF数据表相关新闻