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IRFBC40AS价格

参考价格：￥4.8122

型号：IRFBC40ASPBF 品牌：Vishay 备注：这里有IRFBC40AS多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRFBC40AS批发/采购报价，IRFBC40AS行情走势销售排行榜，IRFBC40AS报价。

型号	功能描述	生产厂家&企业
IRFBC40AS	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40AS	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)max=1.2ohm, Id=6.2A) SMPSMOSFET Benefits ●LowGateChargeQgresultsinSimple DriveRequirement ●ImprovedGate,Avalancheanddynamic dv/dtRuggedness ●FullyCharacterizedCapacitanceand AvalancheVoltageandCurrent ●EffectiveCossSpecified(SeeAN1001) Applications ●SwitchModePowerSu	IRF International Rectifier
IRFBC40AS	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40AS	iscN-Channel MOSFET Transistor 文件：322.25 Kbytes Page：2 Pages	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
IRFBC40AS_V01	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASPBF	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRL	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRLPBF	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRR	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRRPBF	Power MOSFET FEATURES •LowgatechargeQgresultsinsimpledrive requirement •Improvedgate,avalancheanddynamicdV/dt ruggedness •Fullycharacterizedcapacitanceandavalanche voltageandcurrent •EffectiveCossspecified •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance ple	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASPBF	HEXFET POWER MOSFET 文件：594.06 Kbytes Page：9 Pages	IRF International Rectifier
IRFBC40ASPBF	Power MOSFET 文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRLPBFA	Power MOSFET 文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
IRFBC40ASTRRPBFA	Power MOSFET 文件：387.52 Kbytes Page：10 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体

IRFBC40AS产品属性

类型
描述
型号
IRFBC40AS
功能描述
MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

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更新时间：2025-8-4 15:40:00

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2020-11-16
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