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IRFBC40ASTRRPBF

Power MOSFET

FEATURES • Low gate charge Qg results in simple drive    requirement • Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt    ruggedness • Fully characterized capacitance and avalanche    voltage and current • Effective Coss specified • Material categorization: for definitions of compliance    ple

VishayVishay Siliconix

威世科技

Power MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世科技

IRFBC40ASTRRPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFBC40ASTRRPBF

  • 功能描述

    MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-5 9:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
550C+
TO-263
1212
IR
23+24
TO-263
29840
主营MOS管,二极.三极管,肖特基二极管.功率三极管
IR
24+
TO220
19000
只做正品原装现货
IR
23+
TO-263
50000
全新原装正品现货,支持订货
IR
23+
TO-263
7000
Vishay Siliconix
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单
IR
25+23+
TO-263
27727
绝对原装正品全新进口深圳现货
IR
24+
TO-262
710
IR
1923+
TO-263
6896
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货
IR
24+
D2-PAK
60000

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