IRF7815TR价格

参考价格:¥3.8027

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel150V(D-S)MOSFET

文件:1.8899 Mbytes Page:9 Pages

VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

VBSEMI

TZ/OBCTransponder

Description DesignedtoworkwithSonardyne’sTZ/OBCacousticpositioningsystem,theType7815-000-06transponderenablesthepositionsofseismichydrophonepositionstobeaccuratelyandefficientlydetermined. KeyFeatures •Versatile,lowcosttransponder •Depthratedto500Metres •Pr

SONARDYNESonardyne sound in depth

Sonardyne sound in depth

SONARDYNE

LINEARINTEGRATEDCIRCUITS3-TERMINALVOLATGEREGULATORS

[CODISemiconductor,Inc.] LINEARINTEGRATEDCIRCUITS3-TERMINALVOLATGEREGULATORS

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

ETC1

QUICK-FITTERMINALS

[KEYSTONE] AVAILABLEINBRASSORSTEELTABS •Idealforruggedmulti-insertionapplications •Pre-assembledheaderreducesPCassemblycosts •IncreasesPCboardretentionstrength •Keepsterminalsperpendicular •Maintainspositionforwavesoldering

etc2List of Unclassifed Manufacturers

etc2未分类制造商

etc2

3-terminal1Apositivevoltageregulator

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SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD.

先之科半导体先之科半导体科技(东莞)有限公司

SEMTECH_ELEC

SeriesVoltageRegulators

文件:147.06 Kbytes Page:8 Pages

NSCNational Semiconductor (TI)

美国国家半导体美国国家半导体公司

NSC

IRF7815TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7815TR

  • 功能描述

    MOSFET MOSFT 150V 5A 44mOhm 25nC Qg

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-17 22:58:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
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标准
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