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IRF750A

Advanced Power MOSFET

BVDSS = 400 V RDS(on) = 0.3 Ω ID = 15 A FEATURES ♦ Avalanche Rugged Technology ♦ Rugged Gate Oxide Technology ♦ Lower Input Capacitance ♦ Improved Gate Charge ♦ Extended Safe Operating Area ♦ Lower Leakage Current : 10 µA (Max.) @ VDS = 400V ♦ Low RDS(ON) : 0.254 Ω

Fairchild

仙童半导体

IRF750A

isc N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IRF750A

Advanced Power MOSFET

ONSEMI

安森美半导体

QUADRATURE HYBRID

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APITECH

Octave Band and Broadband

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APITECH

QUADRATURE HYBRID

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APITECH

Directional Couplers

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APITECH

QUADRATURE HYBRID

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APITECH

更新时间:2025-12-27 23:01:00
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