IRF7389价格

参考价格:¥2.4722

型号:IRF7389PBF 品牌:INTERNATIONAL 备注:这里有IRF7389多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRF7389批发/采购报价,IRF7389行情走势销售排行榜,IRF7389报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7389

HEXFET Power MOSFET

IRF

IRF7389

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

IRF7389

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: e VbDs (v=30V ® RbsEN)

UMW

友台半导体

IRF7389

采用 SO-8 封装的 30V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET

Infineon

英飞凌

Generation V Technology

IRF

HEXFET Power MOSFET

IRF

Generation v technology

IRF

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: VDS (V)=30V RDS(ON)

EVVOSEMI

翊欧

Dual N P Channel MOSFET

Features N-Ch: e VbDs (v=30V ® RbsEN)

UMW

友台半导体

Generation V Technology

IRF

N-Channel and P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features • N-Channel: 30V, 10A RDS(ON)

Bychip

百域芯

N&P-Channel Complementary MOSFET

General Features «+ N-Channel © Vos=30V. o=B.0A Rosny =17m0@ Vos=10V Rosco =24m0@Vos=4 5V + P-Channel * Vos=-30V,Ip=-6A Rosn =40mQ @Ves=-10V Rosco =60mQ @Vos=-45V «High Power and current handing capabilly «Lead ree products acquired « Surace Mount Package Application

TECHPUBLIC

台舟电子

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

GENERATION V TECHNOLOGY

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IRF

Industry-standard pinout SO-8 Package

文件:269.66 Kbytes Page:10 Pages

IRF

30V 1N-1P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

Industry-standard pinout SO-8 Package

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IRF

2.1-2.5 GHz InGaP HBT Matched Gain Block Amplifier

文件:263.38 Kbytes Page:15 Pages

MIMIX

2.1-2.5 GHz InGaP HBT Matched Gain Block Amplifier

文件:263.08 Kbytes Page:15 Pages

MIMIX

2.1-2.5 GHz InGaP HBT Matched Gain Block Amplifier

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MIMIX

2.1-2.5 GHz InGaP HBT Matched Gain Block Amplifier

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MIMIX

2.1-2.5 GHz InGaP HBT Matched Gain Block Amplifier

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MIMIX

IRF7389产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7389

  • 功能描述

    MOSFET N+P 30V 5.3A 8-SOIC

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    HEXFET®

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-10-4 13:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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