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位置：首页 > IC中文资料第765页 > IRF7220

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7220

HEXFET Power MOSFET

Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications.. The SO-

IRF

IRF7220

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

IRF7220PBF

HEXFET Power MOSFET

Description These P-Channel MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the extremely low on-resistance per silicon area. This benefit provides the designer with an extremely efficient device for use in battery and load management applications. The SO-8

IRF

IRF7220GPBF

Ultra Low On-Resistance

文件：189.22 Kbytes Page：7 Pages

IRF

7220

T-1 Subminiature Lamps

T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Short Type Lamps

GILWAY

7220

MALE/FEMALE THREADED STANDOFFS

文件：310.8 Kbytes Page：1 Pages

KEYSTONE

Keystone Electronics Corp.

7220

8-BIT SINGLE-CHIP MICROCOMPUTER

文件：2.22879 Mbytes Page：303 Pages

RENESAS

瑞萨

7220

Preassembled Cordset Components

文件：145.79 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

7220R

Arista 7220R Series Enterprise WAN Router

文件：1.39997 Mbytes Page：33 Pages

ARISTA

IRF7220产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7220

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 14V 11A 8-SOIC

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF7220供应商更多...

更新时间：2025-9-27 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
IRF7220
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