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位置：首页 > IC中文资料第11894页 > IRF7207TR

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRF7207TR

Generation 5 Technology

Description Fifth Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well kn

IRF

IRF7207TRPBF

P-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features  VDS= -20V, ID= -13A RDS(ON)

Bychip

百域芯

IRF7207TRPBF

Generation 5 Technology

文件：177.2 Kbytes Page：7 Pages

IRF

7207

T-1 Subminiature Lamps

T-1 Subminiature Lamps T-1 Subminiature Short Type Lamps

GILWAY

7207

BNC (M) 50 廓

文件：227.77 Kbytes Page：2 Pages

POMONA

Pomona Electronics

7207

Miniature Rocker Lever Handle Switches

文件：1.58957 Mbytes Page：22 Pages

CK-COMPONENTS

力特

7207SYZBE

7000 Series Miniature Toggle Switches

文件：1.03503 Mbytes Page：14 Pages

CK-COMPONENTS

力特

ACE7207D

1uA Ultra-Low Quiescent Current, 0.6A Output Synchronous BUCK

文件：568.41 Kbytes Page：8 Pages

ACE

IRF7207TR产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRF7207TR

  • 功能描述

    MOSFET P-CH 20V 5.4A 8-SOIC

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型

    MOSFET N 通道，金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的

  • Vgs(th)（最大）

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

IRF7207TR供应商更多...

更新时间：2025-10-1 15:14:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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