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308	2(50.8mm)SingleTurnConductivePlasticPrecisionPotentiometer FEATURES •Bushingmountandservomounttypesavailable •Virtuallyinfiniteresolution •Upto6sectionsavailable •Rotationallifeexceeds20millionshaft revolutions •Co-moldedtrackandmulti-fingerwiperprovidelownoise signal •Largeohmicvaluerange:500to100k •Mater	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体
308E	GENERALPURPOSE100mWGaAsMMICAMPLIFIER,0.8-3.8GHz GeneralDescription TheHMC308&HMC308EarelowcostMESFETMMICamplifiersthatoperatefromasingle+3to+5Vsupplyfrom0.8to3.8GHz.ThesurfacemountSOT26amplifiercanbeusedasabroadbandamplifierstageorusedwithexternalmatchingforoptimizednarrowbandapplications.Wi	Hittite Hittite Microwave Corporation
308A	Testinsulationto2000M廓文件：117.75 Kbytes Page：1 Pages	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商
308E	GENERALPURPOSE100mWGaAsMMICAMPLIFIER,0.8-3.8GHz 文件：252.53 Kbytes Page：6 Pages	Hittite Hittite Microwave Corporation
308-LE	Labelformat-Oldformatordercodecrossreference 文件：3.00256 Mbytes Page：48 Pages	MACOMTyco Electronics 玛科姆技术方案控股有限公司

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更新时间：2025-6-5 11:40:01

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说明在IR2302（S）的高电压，高转速功率MOSFET和IGBT驱动器的依赖高，低侧参考输出渠道。专有的HVIC和闩锁的CMOS技术，使免疫耐用单片建设。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的运行一个N沟道功率MOSFET或IGBT最多600伏。...特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从5至20V•欠压锁定
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