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芯片资料

参考价格：￥7.6054

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IR21844STRPBF	Gatedrivesupplyrangefrom10to20V Description TheIR2184(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorL	IRF International Rectifier
IR21844STRPBF	封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC）栅极驱动器	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
DGD21844M	HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-14 Features -FloatingHigh-SideDriverinBootstrapOperationto600V -DrivesTwoN-ChannelMOSFETsorIGBTsinHalfBridgeConfiguration -1.9ASource/2.3ASinkOutputCurrentCapability -OutputsToleranttoNegativeTransients -ProgrammableDeadtimetoProtectMOSFETs -WideLow-SideGa	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
AUIRS21844S	HALF-BRIDGEDRIVER 文件：690.76 Kbytes Page：25 Pages	IRF International Rectifier
AUIRS21844STR	HALF-BRIDGEDRIVER 文件：690.76 Kbytes Page：25 Pages	IRF International Rectifier
DGD21844	HALF-BRIDGEGATEDRIVERINSO-14 文件：777.7 Kbytes Page：12 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
DGD21844M	HALF-BRIDGEGATEDRIVER 文件：637.37 Kbytes Page：12 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体

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更新时间：2025-7-22 23:00:00

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IR2184STRPBF 栅极驱动器
IR2184STRPBF
2024-11-20
IR2184STRPBF原厂原标，现货
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2024-8-1
IR21834S
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2021-12-22
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2019-5-6
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2019-5-6
IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9