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IR21834SPBF价格
参考价格：￥10.9147
型号：IR21834SPBF 品牌：IR 备注：这里有IR21834SPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IR21834SPBF批发/采购报价，IR21834SPBF行情走势销售排行榜，IR21834SPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IR21834SPBF | HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIR2183(4)(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSo | IRF International Rectifier |  |   |
IR21834SPBF | 封装/外壳：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 包装：卷带（TR） 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC 集成电路（IC） 栅极驱动器 | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 |  | |
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HALF-BRIDGEDRIVER 文件：361.81 Kbytes Page：22 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | | |
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HALF-BRIDGEDRIVER 文件：361.81 Kbytes Page：22 Pages | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | |
IR21834SPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR21834SPBF
- 功能描述
功率驱动器IC HALF BRDG DRVR 600V 10 to 20V 1.4A
- RoHS
否
- 制造商
Micrel
- 产品
MOSFET Gate Drivers
- 类型
Low Cost High or Low Side MOSFET Driver
- 电源电压-最大
30 V
- 电源电压-最小
2.75 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOIC-8
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP-14 |
2302 |
深耕行业12年,可提供技术支持。 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
2614 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
SOIC14N |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
IR |
23+ |
SOP-14 |
2500 |
||||
Infine |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
IOR |
22+ |
SOP-14 |
5000 |
只做原装,假一赔十 |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOIC14N |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
SOIC14N |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
29700 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
||||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
SOIC14N |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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IR21834SPBF规格书下载地址
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2024-11-20IR21834S
我司主要从事销售ST、TOS.XILINX、ALTERA、NS、AD、TILT（BB）、FSC、IR、ON、NANYA CY.WM.FREESCALE、NXP、MAXIMQUANTUM,、ATLab、ADI、Richtek、TOREX、GMT、APS
2021-12-22IR2184PBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
瀚佳科技(深圳)有限公司专业为工厂一站式BOM配单服务
2019-5-6IR21814STRPBF公司大量原装正品现货/随时可以发货！
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2019-5-6IR21834-半桥驱动器
说明在IR2183（4）（S）的高电压，高速功率MOSFET和IGBT与司机相关的高，低侧参考输出通道。专有HVIC和闩锁免疫坚固耐用的CMOS技术使单片建设。该逻辑输入与标准兼容CMOS或LSTTL输出，下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低司机跨导。浮动通道可用来驱动高侧配置中的一个N沟道功率MOSFET或IGBT它可在高达600伏。特点•浮动通道设计为引导操作+600V全面运作耐瞬态电压负dV/dt的免疫•门极驱动电压范围从10至20V•欠
2013-2-9
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