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IR2103价格
参考价格:¥6.6944
型号:IR2103PBF 品牌:International 备注:这里有IR2103多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IR2103批发/采购报价,IR2103行情走势销售排行榜,IR2103报价。型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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IR2103 | HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS | IRF | ||
IR2103 | 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP 集成电路(IC) 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | ||
IR2103 | 600 V 半桥栅极驱动器 IC,具有击穿保护 | Infineon 英飞凌 | ||
HALF-BRIDGE DRIVER Description The IR2103(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS | IRF | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10762 Mbytes Page:18 Pages | Infineon 英飞凌 | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection | Infineon 英飞凌 | |||
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:散装 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 集成电路(IC) 栅极驱动器 | Infineon 英飞凌 | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10762 Mbytes Page:18 Pages | Infineon 英飞凌 | |||
Half-Bridge Driver 文件:1.10295 Mbytes Page:18 Pages | IRF | |||
Digital electropneumatic positioner for the integrated mounting on process control valves Compact positioner for integrated mounting on pneumatically operated process valves. Remote setpoint adjustment via a 4 - 20 mA signal. A contact-free continuous sensor measures the position of the valve spindle. Simple installation through automatic TUNE-Function and setting through DIP-switch | BURKERT 宝帝流体控制系统 | |||
HIGH SPEED COMBO MAGNETIC MODULES FOR 10/100BASE-TX APPLICATIONS 文件:440.84 Kbytes Page:6 Pages | XFMRS | |||
Phenolic Box With Cover 文件:22.61 Kbytes Page:1 Pages | POMONA Pomona Electronics | |||
One-way flow control valve 文件:76.1 Kbytes Page:1 Pages | FESTOFesto Corporation. 费斯托费斯托(中国)有限公司 | |||
SYSTEM RESET IC 文件:291.9 Kbytes Page:9 Pages | NJRCNew Japan Radio 新日本无线株式会社 |
IR2103产品属性
- 类型
描述
- 型号
IR2103
- 功能描述
IC DRIVER HALF BRIDGE 600V 8DIP
- RoHS
否
- 类别
集成电路(IC) >> PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
- 系列
-
- 标准包装
50
- 系列
-
- 配置
低端
- 输入类型
非反相
- 延迟时间
40ns 电流 -
- 峰
9A
- 配置数
1
- 输出数
1 高端电压 -
- 最大(自引导启动)
-
- 电源电压
4.5 V ~ 35 V
- 工作温度
-40°C ~ 125°C
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA
- 供应商设备封装
TO-263
- 包装
管件
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR(国际整流器) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
SOP8 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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IR |
2016+ |
SOP |
3000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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IR |
23+ |
NA |
20000 |
全新原装假一赔十 |
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IR |
24+ |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
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IR |
25+ |
DIP |
57488 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IR |
22+ |
SOP8 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
SOP8 |
12496 |
IR原装正品IR2103STRPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON |
22+ |
SOIC-8_150mil |
75000 |
原装正品可支持验货,欢迎咨询 |
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IR |
24+ |
DIP8 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
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2024-11-26IR2103STRPBF
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2023-4-14IR2101STRPBF
SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , SOT-23-5 MOSFET Gate Drivers SMD/SMT 门驱动器 , MP6528 门驱动器 , 1 Output 1 Driver 门驱动器 , SMD/SMT 门驱动器 , TSSOP-20 门驱动器
2021-9-10IR2104STRPBF
IR2104STRPBF
2021-8-9IR2085S-高速,100V的,自振荡50%的占空比,半桥式驱动器
说明 该IR2085S是自激式半桥和50%占空比驱动IC理想适合于36V-75V的半桥式DC总线转换器。本产品还适用于推挽没有根据输入电压的限制转换器。每个通道的频率为fOSC,其中fosc的逆转录可以通过选择和CT组,其中fosc的≈1 /(2 * RT.CT)。死区时间可控制,通过选择合适的CT范围可以从50到200nsec。内部软启动过程中增加了脉冲宽度电脉冲宽度,并保持在整个上升周期开始的高,低产出的匹配。该IR2085S在启动后,每过电流和电源软启动条件。欠压锁定阻止如果VCC小于7.5Vdc操作。 特点 •简单的初
2013-2-10IR2103-半桥驱动器
说明 在IR2103(S)的高电压,高速动力供养高,MOSFET和IGBT驱动器低侧参考输出通道。专有的HVIC免疫和闩锁的CMOS技术使坚固耐用单片建设。逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出,下降到3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。浮动通道可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET在高端配置的可在高达600伏或IGBT。 特点 •浮动通道设计为引导操作+600 V全面运作耐瞬态电压负dV / dt的免疫 •门极驱动电压范围从10至20V •欠压锁定
2013-2-9
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