型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPU78CN10NG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:710.31 Kbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

N-channel, normal level

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

Infineon

英飞凌

N-channel, normal level

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr

Infineon

英飞凌

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.37 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:710.31 Kbytes Page:13 Pages

Infineon

英飞凌

IPU78CN10NG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPU78CN10NG

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOS㈢2 Power-Transistor

更新时间:2025-11-19 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO251
7350
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
45000
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON/英飞凌
22+
TO-251
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO251-3
12700
买原装认准中赛美
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO251-3
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO251-3
6820
只做原装,质量保证
INFINEON
25+
TO-251
6000
原厂原装,价格优势
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
INFINE0N
23+
TO-251
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十

IPU78CN10NG芯片相关品牌

IPU78CN10NG数据表相关新闻

  • IPS1025HFQ 高压侧开关

    STMicroelectronics 采用 M0T5 VIPower 技术的单片架构采用了 QFN48L 封装

    2022-10-27
  • IPS1011SPBF

    原装正品现货

    2022-5-18
  • IPW60R041P6原装现货

    IPW60R041P6原装正品

    2021-8-11
  • IPW60R080P7

    IPW60R080P7,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

    2019-9-20
  • IPW60R060P7

    IPW60R060P7

    2019-7-9
  • IPS0151-完全保护的功率MOSFET开关

    IPS0151/IPS0151S得到充分保护三端智能功率MOSFET,具有过电流,超温,防静电保护和漏源积极clamp.These器件结合一个HEXFET®功率MOSFET和栅极驱动器。他们提供全面的保护和在恶劣的环境中所需的高可靠性。该驱动程序允许开关时间短通过关闭提供有效的保护当温度超过165oC的功率MOSFET或当漏电流达到35A。该设备重新启动一次输入循环。雪崩活动能力显着增强夹具和覆盖最感性负载demagnetizations。 特点 •在温度关机 •在当前的关机 •有源钳位

    2012-11-14