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CoolMOS Power Transistor

Features • Lowest figure-of-merit RON x Qg • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Worldwide best R DS,on in TO247 • Ultra low gate charge CoolMOS™ 900V is designed for: • Quasi

Infineon

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=36A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- VDSS=900V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) = 0.12Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC converter, power switch and solenoid drive.

ISC

无锡固电

更新时间:2025-12-16 15:28:01
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