丝印代码：024N10NS；StrongIRFETTM 2 Power-Transistor

Features • Optimized for a wide range of applications • N-Channel, normal level • 100 avalanche tested • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Halogen-free according to IEC61249-2-21

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 D²PAK 7 引脚封装

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 2.4 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。 • 可从分销合作伙伴处获取\n• 适用于高和低开关频率\n• 高额定电流;

包装：卷带（TR） 描述：TRENCH \u003e=100V 分立半导体产品 晶体管 - FET，MOSFET - 单个