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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD50N04S3-09 | OptiMOS-T Power-Transistor 文件：187.82 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPD50N04S3-09 | 40 V、N沟道、最大9 mΩ、汽车MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ -T | Infineon 英飞凌 | |
IPD50N04S3-09产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD50N04S3-09
- 功能描述
MOSFET N-Channel 40V MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-11-26 18:10:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO252-3 |
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买原装认准中赛美 |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON |
原厂封装 |
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Infineon/英飞凌 |
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Infineon |
原厂封装 |
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