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IPD50N03S2L-06价格
参考价格：￥1.8410
型号：IPD50N03S2L-06 品牌：Infineon 备注：这里有IPD50N03S2L-06多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IPD50N03S2L-06批发/采购报价，IPD50N03S2L-06行情走势销售排行榜，IPD50N03S2L-06报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPD50N03S2L-06 | OptiMOS Power-Transistor 文件：157.19 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
IPD50N03S2L-06 | 30 V、N 沟道、最大 6.4 mΩ、汽车 MOSFET、DPAK、OptiMOS ™ | Infineon 英飞凌 | | |
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01997 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | | ||
OptiMOS Power-Transistor 文件：262.76 Kbytes Page：8 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel Enhancement mode Logic LevelExcellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM) 文件：755.46 Kbytes Page：9 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.01986 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMI 微碧半导体 | |
IPD50N03S2L-06产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD50N03S2L-06
- 功能描述
MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 50A 6.4mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-252 |
9548 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IPD50N03S2L-06即刻询购立享优惠#长期有货 |
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INFINEON |
23+ |
TO-252 |
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2022-3-2IPD30N08S2-22天芯科技优势渠道积累-货源稳定-价格优势
深圳市天芯半导体科技有限公司 0755-82725660 18128853661（微信75056055） QQ：177691499
2019-6-18
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