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IPD082N10N3价格

参考价格:¥5.7206

型号:IPD082N10N3G 品牌:INF 备注:这里有IPD082N10N3多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD082N10N3批发/采购报价,IPD082N10N3行情走势销售排行榜,IPD082N10N3报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPD082N10N3

N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.18 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

丝印代码:082N10N;100V N-Channel MOSFET

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • 175 °C operating temperature • Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification • VDS=100V • ID(at VGS=10V)=80A • RDS(ON) (at VGS=10V)

UMW

友台半导体

N-Channel Super Trench Power MOSFET

Features  VDS= 100V, ID= 78 A RDS(ON)

BYCHIP

百域芯

N 沟道功率 MOSFET

INFINEON

英飞凌

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

文件:480.83 Kbytes Page:12 Pages

INFINEON

英飞凌

N-channel, normal level

文件:784.37 Kbytes Page:12 Pages

INFINEON

英飞凌

丝印代码:DPAK;N-Channel MOSFET Transistor

文件:336.18 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IPD082N10N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD082N10N3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-3-18 11:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
58000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
INFINEON/英飞凌
23+
TO-252
700
正规渠道,只有原装!
ADI
23+
DPAK(TO-252)
8000
只做原装现货
Infineon(英飞凌)
2447
PG-TO252-3
115000
2500个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
INFINEON/英飞凌
23+
DPAK(TO-252)
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon/英飞凌
25+
TO-252-2(DPAK)
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
INFINEON/英飞凌
2450+
TO-252
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
Infineon(英飞凌)
25+
TO-252-3
21000
原装正品现货,原厂订货,可支持含税原型号开票。
Infineon/英飞凌
24+
TO-252-2(DPAK)
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

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