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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPC26N10NR

适用于工业和消费应用的功率 MOSFET 裸片产品

OptiMOS™ 裸片集极低的导通电阻 (RDS (on)) 和快速的开关特性于一身,其出色的性能非常适合各种工业和消费类应用。从大电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器,英飞凌的产品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空间要求。 • 出色的开关性能\n• 非常低的 Q g 和 Q gd;

INFINEON

英飞凌

IPC26N10NR

N-channel enhancement mode

文件:901.38 Kbytes Page:5 Pages

INFINEON

英飞凌

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

EXCELLIANCE

杰力科技

PowerMOS transistor

GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies

PHILIPS

飞利浦

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:211.41 Kbytes Page:5 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

IPC26N10NR产品属性

  • 类型

    描述

  • RDS (on):

    3.2 mΩ

  • VBRDSSmax:

    100 V

  • VDS:

    100 V

  • VDSmax:

    100 V

  • VGS(th):

    2 V to 4 V

  • Thickness:

    250

  • Technology:

    OptiMOS™ 2

  • Polarity:

    N

  • Mode:

    Enhancement

  • Die Size(-):

    4.36 mm² to 6 mm²

  • Die Size(Area):

    26.16 mm²

  • Die Size(Y):

    4.36 mm

  • Die Size(X):

    6 mm

  • Output Drivers:

    1

更新时间:2026-5-20 15:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
23+
8000
只做原装现货
INFINEON
23+
7000
Infineon Technologies
22+
Die
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon
24+
TO220-3
17900
MOSFET管
Infineon
25+
NA
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
Infineon
25+
NA
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
INFINEON
25+
模具
3675
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