| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
EMB26N10E | N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 |   | |
EMB26N10E | Power MOSFETs-N Channel | EXCELLIANCE 杰力科技 | | |
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary: BVDSS 100V RDSON (MAX.) 30mΩ ID 50A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 文件：211.41 Kbytes Page：5 Pages | EXCELLIANCE 杰力科技 | | ||
PowerMOS transistor GENERAL DESCRIPTION N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope featuring high avalanche energy capability, stable blocking voltage, fast switching and high thermal cycling performance with low thermal resistance. Intended for use in Switched Mode Power Supplies | PHILIPS 飞利浦 | | ||
N-channel enhancement mode 文件：901.38 Kbytes Page：5 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
EMB26N10E产品属性
- 类型
描述
- Channel：
Single N
- BVDSS(V)：
100
- VGS(±V)：
20
- ID(A)：
50
- RDS(ON)(10V) Max.(mΩ)：
30
- RDS(ON)(5V) Max.(mΩ)：
- RDS(ON)(4.5V) Max.(mΩ)：
35
- RDS(ON)(2.5V) Max.(mΩ)：
- Qg(10V)Typ.(nC)：
38
- CissTyp.(pF)：
2725
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
|||
ELPIDA |
2450+ |
BGA |
8850 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
EMC |
23+ |
DFN5X6 |
3353 |
原厂原装正品 |
|||
Displaytech |
24+ |
SMD |
17900 |
显示开发工具 |
|||
EMC |
23+ |
TO-220 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
N/A |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ELPIDA |
23+ |
BGA |
6500 |
专注配单,只做原装进口现货 |
|||
EMC/杰力 |
23+ |
DFN5X6 |
7000 |
||||
EMC |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
EMC |
22+ |
DFN |
20000 |
公司只有原装 品质保证 |
EMB26N10E规格书下载地址
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