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OptiMOS-T2 Power-Transistor

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OptiMOS-T Power-Transistor

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IPB80N06S3产品属性

  • 类型

    描述

  • 技术:

    MOSFET(金属氧化物)

  • 漏源电压(Vdss):

    55V

  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):

    80A(Tc)

  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):

    10V

  • 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):

    5.1 毫欧 @ 63A,10V

  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):

    4V @ 110µA

  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):

    240nC @ 10V

  • Vgs(最大值):

    ±20V

  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):

    10760pF @ 25V

  • 功率耗散(最大值):

    165W(Tc)

  • 工作温度:

    -55°C ~ 175°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 供应商器件封装:

    PG-TO263-3-2

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

更新时间:2026-5-23 19:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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0923+
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1000
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
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只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
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专做原装正品,假一罚百!
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PG-TO263-3D2-PAK(T
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TO-263
20000
公司只做原装 品质保障
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全新原装正品价格最实惠 假一赔百
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7000
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23+
TO-263
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只做原装现货
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TO-263
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
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25+
TO-263
6000
公司渠道现货

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