| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB26CN10NG | OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | INFINEON 英飞凌 |   | |
IPB26CN10NG | OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages | INFINEON 英飞凌 | | |
IPB26CN10NG | N-channel, normal level 文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages | INFINEON 英飞凌 | | |
N-channel, normal level 文件：1.03806 Mbytes Page：12 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
MOSFET N-CH 100V 35A TO263-3 | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Ideal for high-frequency switching and synchr | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages | INFINEON 英飞凌 | | ||
OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated 文件：547.15 Kbytes Page：12 Pages | INFINEON 英飞凌 | |
IPB26CN10NG产品属性
- 类型
描述
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：
100V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：
35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：
26 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：
4V @ 39µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：
31nC @ 10V
- Vgs（最大值）：
±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：
2070pF @ 50V
- 功率耗散（最大值）：
71W（Tc）
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装
- 供应商器件封装：
D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INF |
26+ |
263 |
12602 |
全新原装正品,优势价格 |
|||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
|||
INF |
26+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装正品价格最实惠 假一赔百 |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TO263 |
72771 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
12000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
|||
infleon |
最新 |
TO-263 |
6896 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
|||
INFINEON |
2023+ |
TO-263 |
50000 |
原装现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
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IPB26CN10NG规格书下载地址
IPB26CN10NG参数引脚图相关
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IPB180N04S4-01 用途广泛，主要用于大功率开关电源、DC-DC 模块、服务器电源；电机驱动、逆变器、电动工具控制板；动力电池保护板、大功率充电器、LED 照明驱动等设备，作为核心功率开关管承担电流控制与系统保护功能，是工业及车载级产品中的关键器件。
大电流电源、电机驱动、电池保护等应用场景不断升级的背景下，低内阻、高可靠性的功率 MOS 管已成为设备稳定运行的关键。我司长期现货供应英飞凌原装 IPB180N04S4-01 场效应管
2026-4-15IPB200N25N3G
进口代理
2024-11-26IPBT-105-H2-T-D-K 电源到板 .165
IPBT-105-H2-T-D-K 电源到板 .165" Power Mate Isolated Power Terminal Header
2023-4-21IPB180P04P4L-02 原装正品 MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-31IPB60R099P7ATMA1 INFINEON/英飞凌 21+ TO-263
IPB60R099P7ATMA1 INFINEON/英飞凌 21+ TO-263
2022-2-13IPB79CN10NG原装现货
IPB79CN10NG原装正品
2021-8-11
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