型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPB120N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor

文件:445.48 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPB120N06NG

OptiMOS Power-Transistor

文件:743.11 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

IPB120N06NG

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

文件:1.02414 Mbytes Page:8 Pages

VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor

文件:743.11 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

Silicon N-Channel Power MOSFET

General Description: CS120N06 C8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system min

CRMICRO

华润微电子

60V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching, Logic Level ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in T

HUNTECK

恒泰柯半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

文件:3.99502 Mbytes Page:7 Pages

FOSTER

福斯特半导体

60V N-Channel Trench MOSFET

文件:592.88 Kbytes Page:7 Pages

SEMIHOW

IPB120N06NG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB120N06NG

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOS Power-Transistor

更新时间:2025-9-27 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
3500
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON/英飞凌
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
INFINEON
原厂封装
1000
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
200000
优质供应商,支持样品配送。原装诚信
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
1000
只做原厂渠道 可追溯货源
INFINEON
24+
TO-263
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
24+
D2PAK(TO-263)
8866
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
INF
18+
TO-263
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
Infineon Technologies
23+
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) T
9000
原装正品,支持实单

IPB120N06NG数据表相关新闻