型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPB120N06NG

OptiMOS짰 Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB120N06NG

OptiMOS Power-Transistor

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Infineon

英飞凌

IPB120N06NG

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

OptiMOS Power-Transistor

文件:743.11 Kbytes Page:10 Pages

Infineon

英飞凌

Silicon N-Channel Power MOSFET

General Description: CS120N06 C8, the silicon N-channel Enhanced VDMOSFETs, is obtained by advanced Trench Technology which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power switching circuit for system min

CRMICRO

华润微电子

60V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇ High Speed Power Switching, Logic Level ◇ Enhanced Body diode dv/dt capability ◇ Enhanced Avalanche Ruggedness ◇ 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇ Lead Free, Halogen Free Application ◇ Synchronous Rectification in SMPS ◇ Hard Switching and High Speed Circuit ◇ DC/DC in T

HUNTECK

恒泰柯半导体

N-Channel Enhancement Mode Power Mosfet

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FOSTER

福斯特半导体

60V N-Channel Trench MOSFET

文件:592.88 Kbytes Page:7 Pages

SEMIHOW

IPB120N06NG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB120N06NG

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOS Power-Transistor

更新时间:2025-8-10 11:04:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
2012+
TO-263
12000
全新原装,绝对正品,公司现货供应。
INFINEON/英飞凌
24+
TO-263
1000
只做原厂渠道 可追溯货源
INFINEON/英飞凌
23+
TO-263
11220
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。
INFINEON/英飞凌
25+
NA
880000
明嘉莱只做原装正品现货
VBsemi(台湾微碧)
2447
TO-263
105000
50个/管一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期
INFINEON/英飞凌
23+
SOT263
50000
全新原装正品现货,支持订货
INFINEON
24+
D2PAK(TO-263)
8866
INFINEON
24+
TO-263
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
Infineon(英飞凌)
21+
TO-263
1000
原装现货,假一罚十
INFINEON/英飞凌
17+
D2PAK(TO-263)
31518
原装正品 可含税交易

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