集成了MOSFET、同步整流和反馈功能的离线式反激CV/CC开关IC

InnoSwitch™-CH系列IC将初级、次级和反馈电路同时集成到一个表面贴装离线式反激开关IC中。InnoSwitch-CH IC集成了初级FET、初级侧控制器和次级侧同步整流控制器。这款新IC还采用了一项创新型技术FluxLink™，该技术可安全地越过隔离层并省去光耦器。次级侧控制器的集成可实现无击穿的同步整流FET驱动，同时提供快速瞬态响应，从而超越包括欧盟行为准则第5版和DoE第6版法规在内的所有国际能效标准。 高度集成，外形紧凑\r\n\r\n• 集成了反激式控制器、650 V MOSFET、\r\n• 次级侧检测和同步整流\r\n• 带HIPOT隔离保护的集成反馈链路\r\n• 出色的CV/CC精度，不受变压器设计或外围元件的影响\r\n• 即时瞬态响应±5% CV，0-100-0%负载阶跃\r\n\r\nEcoSmart™ – 高效节能\r\n• 在230 VAC下空载功耗<10 mW，带可选偏置绕组\r\n• 轻松满足全球所有能效标准，包括DOE 6/CoC v5\r\n• 低散热\r\n\r\n先进的保护/安全特性\r\n• 初级检测过压保护(OVP)，带可选偏置绕组\r\n;

封装/外壳：16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 包装：卷带（TR）卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC OFFLINE SW MULT TOP 16ESOP 集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关

Off-Line CV/CC Flyback Switcher IC with Integrated 650 V MOSFET, Synchronous Rectification and Feedback

Highly Integrated, Compact Footprint • Incorporates flyback controller, 650 V MOSFET, secondary-side sensing and synchronous rectification driver • Integrated FluxLink™, HIPOT-isolated, feedback link • Exceptional CV/CC accuracy, independent of transformer design or external components • Ins

封装/外壳：16-PowerSOIC（0.350"，8.89mm 宽），15 引线 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC OFFLINE SW MULT TOP 16ESOP 集成电路（IC） AC DC 转换器，离线开关

丝印代码：A3；Silicon MMIC amplifier

DESCRIPTION Silicon MMIC amplifier consisting of an NPN double polysilicon transistor with integrated biasing for low voltage applications in a plastic, 4-pin SOT343R package. FEATURES • Low current • Very high power gain • Low noise figure • Integrated temperature compensated biasing • Con

MICROWAVE POWER TRANSISTORS

The RF Line Microwave Power Transistors Designed primarily for large–signal output and driver amplifier stages in the 1.0 to 2.3 GHz frequency range. • Designed for Class B or C, Common Base Power Amplifiers • Specified 28 Volt, 2.0 GHz Characteristics: Output Power — 1.0 to 20 Watts P

High Current/Voltage Darlington Drivers

文件：194.56 Kbytes Page：6 Pages

High Current/Voltage Darlington Drivers

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