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IMYH200R100M1H

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

Features • VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C • IDCC = 26 A at Tc = 25°C • RDS(on) = 100 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C • Very low switching losses • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Robust body diode for hard commutation • .XT interconnection technology for best-in-class thermal

INFINEON

英飞凌

IMYH200R100M1H

CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装

INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-2-10 15:17:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
24+
SOT23-6
8000
新到现货,只做全新原装正品
Infineon(英飞凌)
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SOT-163SOT-23-6
6204
新进库存/原装
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