型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IMYH200R050M1H

CoolSiC™ 2000 V SiC Trench MOSFET

Features • VDSS = 2000 V at Tvj = 25°C • IDCC = 48 A at Tc = 25°C • RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25°C • Very low switching losses • Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5 V • Robust body diode for hard commutation • .XT interconnection technology for best-in-class thermal p

INFINEON

英飞凌

IMYH200R050M1H

CoolSiC ™ 2000 V SiC 沟槽 MOSFET,采用 TO-247PLUS-4-HCC 封装

INFINEON

英飞凌

更新时间:2026-1-26 19:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
96+
SOT23-6
3960
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ROHM罗姆
23+
SOT23-6
49777
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
ROHM
23+
原厂封装
9888
专做原装正品,假一罚百!
ROHM
23+
sot163
8560
受权代理!全新原装现货特价热卖!
Infineon/英飞凌
25+
PG-TO247-4
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO247-4
6820
只做原装,质量保证
ROHM
25+23+
Sot-153
31089
绝对原装正品全新进口深圳现货
Infineon
25+
PG-TO247-4
15500
英飞凌优势渠道全系列在售
ROHM
24+
SOT-163SOT-23-6
6204
新进库存/原装
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO247-4
12700
买原装认准中赛美

IMYH200R050M1H数据表相关新闻