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IMH20TR1G

Dual Bias Resistor Transistor

Dual Bias Resistor Transistor NPN Surface Mount • Low VCC (sat) 80 mV max at IC/IB = 50 mA/2.5 mA • High Current: IC = 600 mA max • This is a Pb−Free Device

ONSEMI

安森美半导体

IMH20TR1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IMH20TR1G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 500mA 50V Digital NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-8-7 18:25:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM
1844+
SOT-457
9852
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ONSEMI
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原装现货,实单价格可谈
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ON全系列可订货
ON/安森美
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原装现货支持BOM配单服务
ROHM
23+
SOT163
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原装正品支持实单
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23+
SOT163
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ON/安森美
23+
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原装正品
ON(安森美)
24+
N/A
18000
原装正品现货支持实单

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