NTE211资料datasheet下载库存现货价格ONSEMI-IC资料网

登录注册

芯片资料

精确

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
LM211D	HIGH PERFORMANCE VOLTAGE COMPARATORS The ability to operate from a single power supply of 5.0 V to 30 V or ±15 V split supplies, as commonly used with operational amplifiers, makes the LM211/LM311 a truly versatile comparator. Moreover, the inputs of the device can be isolated from system ground while the output can drive loads refer	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTE211	Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver Description: The NTE210 (NPN) and NTE211 (PNP) are silicon complementary transistors in a TO202 type package designed for general purpose, medium voltage, medium power amplifier and driver applications such as series, shunt and switching regulators, and low and high frequency inverters and conv	NTE	NTE
LM211H	Voltage Comparator 文件：1.08989 Mbytes Page：23 Pages	NSC 国半	NSC
LM211M	Voltage Comparator 文件：1.08989 Mbytes Page：23 Pages	NSC 国半	NSC
NJU211D	C-MOS QUAD SPST ANALOG SWITCH 文件：156.78 Kbytes Page：4 Pages	NJRC 日本无线	NJRC

IL211T供应商更多...

更新时间：2026-5-18 8:08:02

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市东来宝电子科技有限公司	NTE2309	SANYO/三洋	24+	TO-3P	39197	郑重承诺只做原装进口现货	询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司	NTE2309	SANYO	26+	原厂原封装	86720	全新原装进口现货价格优惠本公司承诺原装正品假一赔	询价
深圳市莱克讯科技有限公司	NTE2309	原装	最新	TO-3P	8900	公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询	询价
深圳市赛尔通科技有限公司	NTE211	NTE	23+		65480		询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	NTE219	NTE	23+	TO-3	39250	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
现代芯城（深圳）科技有限公司	NTE213		26+	N/A	51000	一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择	询价
瀚佳科技(深圳)有限公司	NTE2309	SANYO	24+	TO-3P	36500	原装现货/放心购买	询价
深圳市赛美科科技有限公司	NTE22	OTAX		DIP-3	35560	一级代理原装正品假一罚十价格优势长期供货	询价
深圳市安罗世纪电子有限公司	NTE2311	NTE ELECTRONICS INC	2023+	SMD	11270	安罗世纪电子只做原装正品货	询价
上海意淼电子科技有限公司	NTE22	OTAX	23+	NA	20000	全新原装假一赔十	询价

IKW75N65EH5
IKW75N65EH5
2023-12-6
IKW75N65EL5
优势出
2023-4-26
IKW75N65EH5
全新原装现货支持第三方机构验证
2022-9-3
IL-312-A100S-VF-A1
IL-312-A100S-VF-A1，全新原装现货当天发货或门市自取0755-82732291.
2020-2-14
IL217AT原盘进口环保
瀚佳科技：专业销售集成电路IC.单片.内存闪存.二三级管模块等电子元器件.欢迎询价购买。
2018-12-28
IL33153-单IGBT的栅极驱动器
单IGBT的栅极驱动器该IL33153是专门设计为高功率应用，包括AC IGBT驱动器感应电机控制，直流无刷电机控制和不间断电源。虽然离散和模块驱动IGBT的设计，这种装置可为驱动成本效益的解决方案功率MOSFET和双极型晶体管。保护功能包括设备选择饱和或过流检测和欠压检测。这些器件可在dualinline和表面贴装封装，并包括以下特点：特征 •高电流输出级：1.0一个Source/2.0水槽对于传统和意识的IGBT保护电路• •可编程故障消隐时间 •过电流保护和
2013-3-2