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IKZA75N65RH5

TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-247-4 包装:管件 描述:INDUSTRY 14 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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CoolSiC™ Hybrid Discrete - TRENCHSTOP™ 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiC™ diode

Features • VCE = 650 V • IC = 75 A • Ultra-low switching losses due to the combination of TRENCHSTOPTM 5 and CoolSiCTM technology • Benchmark efficiency in hard switching topologies • Plug-and-play replacement of pure silicon devices • Maximum junction temperature Tvjmax = 175°C • Qualifie

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TRENCHSTOPTM 5 H5 IGBT co-packed with half-rated 6th generation CoolSiCTM Schottky barrier diode

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更新时间:2025-8-10 14:02:00
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