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IKW75N65ES5	5 high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode 文件：1.93262 Mbytes Page：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKW75N65ES5	IGBT 分立器件	Infineon 英飞凌	Infineon
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IKW75N65ES5XKSA1	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	Infineon 英飞凌	Infineon
BIDW75N65ES5	BIDW75N65ES5 Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) Features n 650 V, 75 A, Low Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)) n Novel trench-gate field-stop technology n Optimized for conduction n Medium speed switching n Maximum operating Tj = 175 °C n RoHS compliant* Applications n Switch-Mode Power Supplies (SMPS) n Uninterruptible	Bourns 伯恩斯	Bourns
IKFW75N65ES5	TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：1.52954 Mbytes Page：15 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IKZ75N65ES5	TRENCHSTOPTM 5 high speed soft switching IGBT copacked with full current rated RAPID 1 fast and soft antiparallel diode 文件：1.84647 Mbytes Page：16 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon

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更新时间：2025-10-1 13:01:00

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IKW75N65EH5
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IKW75N65EL5
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2020-2-14
IL217AT原盘进口环保
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2018-12-28
IL33153-单IGBT的栅极驱动器
单IGBT的栅极驱动器该IL33153是专门设计为高功率应用，包括AC IGBT驱动器感应电机控制，直流无刷电机控制和不间断电源。虽然离散和模块驱动IGBT的设计，这种装置可为驱动成本效益的解决方案功率MOSFET和双极型晶体管。保护功能包括设备选择饱和或过流检测和欠压检测。这些器件可在dualinline和表面贴装封装，并包括以下特点：特征 •高电流输出级：1.0一个Source/2.0水槽对于传统和意识的IGBT保护电路• •可编程故障消隐时间 •过电流保护和
2013-3-2