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位置：首页 > IC中文资料第3576页 > IKD15N60R

IKD15N60R价格

参考价格：￥7.5560

型号：IKD15N60RF 品牌：Infineon 备注：这里有IKD15N60R多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IKD15N60R批发/采购报价，IKD15N60R行情走势销售排行榜，IKD15N60R报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKD15N60R

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60R

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60R

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.89866 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60R

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD15N60RA

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

文件：2.18041 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RAATMA1

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 包装：管件 描述：IGBT 600V 30A 250W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IKD15N60RC2

Cost effective monolithically integrated IGBT with Diode

文件：1.43331 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RF

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RF

?쏳C-D Fast?? RC-Drives IGBT optimized for high switching frequency

文件：886.12 Kbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RF

RC-Drive and RC-Drive Fast

文件：368.29 Kbytes Page：2 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RF_14

IGBT with integrated diode in packages offering space saving advantage

文件：1.94799 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60RFA

Optimized Eon, Eoff and Qrr for low switching losses

文件：1.76425 Mbytes Page：16 Pages

Infineon

英飞凌

15N60

15 Amps, 600 Volts N-CHANNEL MOSFET

DESCRIPTION The UTC15N60 is an N-channel mode power MOSFET using UTC’s advanced technology to provide costumers with planar stripe and DMOS technology. This technology is specialized in allowing a minimum on-state resistance and superior switching performance. It also can withstand high energy pu

UTC

友顺

15N60

N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.0671 Mbytes Page：9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

15N60

15A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

文件：185.37 Kbytes Page：6 Pages

UTC

友顺

15N60

High Switching Speed

文件：49.33 Kbytes Page：2 Pages

ISC

无锡固电

15N60CFD

CoolMOS Power Transistor

文件：543.38 Kbytes Page：12 Pages

Infineon

英飞凌

IKD15N60R产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD15N60R

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 IGBT PRODUCTS

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IKD15N60R供应商更多...

更新时间：2025-8-15 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
IKD15N60R
Infineon(英飞凌)
24+
TO-252
2669
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
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深圳市得捷芯城科技有限公司
IKD15N60R
Infineon(英飞凌)
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NA/
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深圳市煦洪科技有限公司
IKD15N60R
Infineon/英飞凌
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IKD15N60R
Infineon(英飞凌)
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TO-252-3
19850
原装正品,假一赔十
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深圳市正纳电子有限公司
IKD15N60R
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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中天科工半导体（深圳）有限公司
IKD15N60R
INFINEON/英飞凌
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TO-252-3
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INFINEON/英飞凌全新特价IKD15N60R即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市润联芯城科技有限公司
IKD15N60R
INFINEON/英飞凌
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TO-252
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深圳市振宏微科技有限公司
IKD15N60R
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO252-3
25630
原装正品
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深圳市富利微电子科技有限公司
IKD15N60R
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
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深圳市星辰微电科技有限公司
IKD15N60R
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
询价

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IKD15N60R规格书下载地址

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    https://hfx03.114ic.com/

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  • IKD06N60RF

    类别：分离式半导体产品家庭：IGBT - 单路系列：TrenchStop?IGBT 类型：沟道电压 - 集电极发射极击穿（最大）：600VVge， Ic时的最大Vce（开）：2.1V @ 15V，6A电流 - 集电极 (Ic)（最大）：12A功率 - 最大：100W输入类型：标准型安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63供应商设备封装：PG-TO

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