型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IKD10N60RA

600V TRENCHSTOPTM RC-Series for hard switching applications

文件:2.20257 Mbytes Page:16 Pages

Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:管件 描述:IGBT 600V 20A 150W TO252-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION The UTC 10N60 is a high voltage and high current power MOSFET, designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching a

UTC

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N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

10A 600V N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

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WXDH

东海半导体

10 Amps, 600/650 Volts N-CHANNEL POWER MOSFET

文件:330.13 Kbytes Page:8 Pages

UTC

友顺

IKD10N60RA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IKD10N60RA

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
NA/
8735
原厂直销,现货供应,账期支持!
INFINEON/英飞凌
22+
SOT-252
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Infineon(英飞凌)
23+
TO-252-3
19850
原装正品,假一赔十
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
INFINEON
21+
TO-252
10000
原装现货假一罚十
Infineon/英飞凌
24+
PG-TO252-3
25000
原装正品,假一赔十!
Infineon/英飞凌
23+
PG-TO252-3
25630
原装正品
INFINEON/英飞凌
24+
SOT-252
17108
原装进口假一罚十
Infineon/英飞凌
21+
PG-TO252-3
6820
只做原装,质量保证
Infineon/英飞凌
2021+
PG-TO252-3
9600
原装现货,欢迎询价

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  • IKD06N60RF

    类别:分离式半导体产品家庭:IGBT - 单路系列:TrenchStop?IGBT 类型:沟道电压 - 集电极发射极击穿(最大):600VVge, Ic时的最大Vce(开):2.1V @ 15V,6A电流 - 集电极 (Ic)(最大):12A功率 - 最大:100W输入类型:标准型安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63供应商设备封装:PG-TO

    2021-10-16
  • IKW15N120H3

    IKW15N120H3?,全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.

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    马达/运动/点火控制器和驱动器 SNGL IN-LINE INTELLIGNT PWR MODUL

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