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P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Description The 4807 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON) and low gate charge . The complementary MOSFETs may be used to form a level shifted high side switch, and for a host of other applications. General Features VDS = -30V,ID = - 6.0A RDS(ON)

TUOFENG

拓锋半导体

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ALLIED

更新时间:2026-1-6 8:08:01
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