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IHW30N65R5

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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Infineon

英飞凌

IHW30N65R5

Reverse conducting IGBT with monolithic body diode

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IHW30N65R5

650 V、30 A IGBT 分立器件,带反并联二极管,采用 TO-247 封装

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT TRENCH 650V 60A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

更新时间:2025-9-28 18:00:00
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