型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IHP10T120

HighSpeed2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IHP10T120

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 16A 138W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IHP10T120

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IHP10T120

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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Infineon

10ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

10.0ASUPERBARRIERRECTIFIER

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

IHP10T120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHP10T120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-6-2 10:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
21+
TO-220
3055
原装现货,假一罚十
INFINEON TECHNOLOGIES AG
2118+
原厂封装
6800
公司现货全新原装假一罚十特价
INFINEON/英飞凌
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
Infineon(英飞凌)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
9298
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
Infineon Technologies
22+
TO2203
9000
原厂渠道,现货配单
Infineon/英飞凌
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
infineon
模块
1520
全新原装正品 数量多可订货 一级代理优势
INFINEON
23+24
TO-220
49820
主营全系列二三极管、MOS场效应管、
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售

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