型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IHP10T120

HighSpeed2-Technology

•Designedfor: -TV–HorizontalLineDeflection •2ndgenerationHighSpeed-Technology for1200Vapplicationsoffers: -lossreductioninresonantcircuits -temperaturestablebehavior -parallelswitchingcapability -tightparameterdistribution -EoffoptimizedforIC=3A -simpleGa

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IHP10T120

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 1200V 16A 138W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon
IHP10T120

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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InfineonInfineon Technologies AG

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IHP10T120

LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStopandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode

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10ASURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

10.0ASUPERBARRIERRECTIFIER

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ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd

淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司

ZSELEC

IHP10T120产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IHP10T120

  • 功能描述

    IGBT 晶体管

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-7-30 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
9298
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
INFINEON/英飞凌
24+
NA/
50
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
INFINEON
23+
10A,1200V
20000
全新原装假一赔十
Infineon/英飞凌
08+
TO-220
5699
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
INFINEON
1822+
TO-220
9852
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
INFINEON
23+
TO220
17126
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术
INFINEON/英飞凌
22+
TO-247
15000
英飞凌MOS管、IGBT大量有货
INFINEON
23+
TO-220
30000
代理全新原装现货,价格优势
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
INFINEON
24+
PG-TO220-3
8866

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