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位置：首页 > IC中文资料第2147页 > IGW50N65H5

IGW50N65H5价格

参考价格：￥16.8679

型号：IGW50N65H5FKSA1 品牌：Infineon 备注：这里有IGW50N65H5多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IGW50N65H5批发/采购报价，IGW50N65H5行情走势销售排行榜，IGW50N65H5报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IGW50N65H5

Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowQG •Maximumjunctiontemperature175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplati

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5

650V IGBT high speed switching series fifth generation

文件：2.00308 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5

High speed 5 IGBT in TRENCHSTOP 5 technology

文件：2.1846 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5

采用 TO-247 封装的 650 V IGBT

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5FKSA1

Highspeed5IGBTinTRENCHSTOPTM5technology

FeaturesandBenefits: HighspeedH5technologyoffering •Best-in-Classefficiencyinhardswitchingandresonant topologies •PlugandplayreplacementofpreviousgenerationIGBTs •650Vbreakdownvoltage •LowQG •Maximumjunctiontemperature175°C •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •Pb-freeleadplati

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5_15

650V IGBT high speed switching series fifth generation

文件：2.00308 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5A

High speed switching series fifth generation

文件：1.85098 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5A

High speed switching series fifth generation

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5AXKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5FKSA1

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 650V 80A TO247-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

AIGB50N65H5

High speed IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

Features and Benefits: High speed H5 technology offering: • Best-in-Class efficiency in hard switching and resonant topologies • Plug and play replacement of previous generation IGBTs • 650V breakdown voltage • Low gate charge QG • Maximum junction temperature 175°C • Dynamically stress te

INFINEON

英飞凌

AIGB50N65H5

High Speed IGBT

DESCRIPTION · 650V Breakdown Voltage · Low Saturation Voltage:VCE(sat)= 2.1V@IC= 50A · Low Gate Charge QG · Green Package (RoHS Compliant) APPLICATIONS · DC/DC Converter · Off-Board Charger · On-Board Charger · Power-Factor Correction

ISC

无锡固电

AIGW50N65H5

High speed fast IGBT in TRENCHSTOPTM 5 technology

文件：1.78884 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGB50N65H5

High speed switching series fifth generation

文件：1.37058 Mbytes Page：14 Pages

INFINEON

英飞凌

IGW50N65H5产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGW50N65H5

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

IGW50N65H5供应商更多...

更新时间：2026-3-3 10:07:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市达恩科技有限公司
IGW50N65H5
Infineon
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IGW50N65H5AXKSA1
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深圳市华斯顿科技有限公司
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IGW50N65H5FKSA1
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
IGW50N65H5
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深圳市正纳电子有限公司
IGW50N65H5
Infineon(英飞凌)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
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