IGCM10F60GA价格

参考价格:¥45.4054

型号:IGCM10F60GA 品牌:Infineon 备注:这里有IGCM10F60GA多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IGCM10F60GA批发/采购报价,IGCM10F60GA行情走势销售排行榜,IGCM10F60GA报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IGCM10F60GA

Control Integrated POwer System

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Infineon

英飞凌

IGCM10F60GA

Control Integrated POwer System (CIPOS??

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Infineon

英飞凌

IGCM10F60GA

CIPOS ™ Mini 600 V,10 A三相智能功率模块

Infineon

英飞凌

Control Integrated POwer System

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Infineon

英飞凌

Control Integrated POwer System

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Infineon

英飞凌

封装/外壳:24-PowerDIP 模块(1.028",26.10mm) 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IGBT 600V 24MDIP 分立半导体产品 功率驱动器模块

Infineon

英飞凌

FAST RECOVER DIODE

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

FAST RECOVER DIODE

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

FAST RECOVER DIODE

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

FAST RECOVER DIODE

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JSMCJILIN SINO-MICROELECTRONICS CO., LTD.

华微电子吉林华微电子股份有限公司

Schottky Barrier Diode Silicon Epitaxial

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TOSHIBA

东芝

IGCM10F60GA产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IGCM10F60GA

  • 功能描述

    IGBT 模块 MINI DUAL-IN-LINE 10A/600V W/NTC 24PIN

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-12-16 14:36:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
23+
IGCM10F60GAXKMA1
5864
原装原标原盒 给价就出 全网最低
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
Infineon/英飞凌
2021+
DIP-24
9600
原装现货,欢迎询价
INFINEON TECHNOLOGIES AG
2118+
原厂封装
6800
公司现货全新原装假一罚十特价
INFINEON/英飞凌
2023+
MODULE
1000
全新原装正品,优势价格
Infineon(英飞凌)
23+
19850
原装正品,假一赔十
LS Research
24+
N/A
7483
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同
Infineon/英飞凌
24+
DIP-24
25000
原装正品,假一赔十!
INFINEON/英飞凌
21+
NA
1820
只做原装,一定有货,不止网上数量,量多可订货!
Infineon/英飞凌
24+
DIP-24
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成

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