型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IFS75B12N3E4_B31

MIPAQ?줮ase Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, Emitter Controlled 4 Diode und Strommesswiderstand

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Infineon

英飞凌

IFS75B12N3E4_B31

IGBT模块

Infineon

英飞凌

IFS75B12N3E4_B31产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IFS75B12N3E4_B31

  • 功能描述

    IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 75A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies

  • 产品

    IGBT Silicon Modules

  • 配置

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    445 W

  • 最大工作温度

    + 125 C

  • 封装/箱体

    34MM

更新时间:2025-11-21 23:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
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原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务
Infineon
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module
6000
全新原装正品现货 假一赔佰
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专业模块
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模块原装主营-可开原型号增税票
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Infineon
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原厂封装
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  • IFX54441EJV33XUMA1

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