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型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IDT71V65602S100BQ

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

文件:970.82 Kbytes Page:26 Pages

IDT

IDT71V65602S100BQ

封装/外壳:165-TBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

RENESAS

瑞萨

IDT71V65602S100BQ

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

RENESAS

瑞萨

IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA

RENESAS

瑞萨

封装/外壳:165-TBGA 包装:卷带(TR) 描述:IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165CABGA 集成电路(IC) 存储器

RENESAS

瑞萨

256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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256K x 36, 512K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs

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IDT71V65602S100BQ产品属性

  • 类型

    描述

  • 存储器格式:

    SRAM

  • 技术:

    SRAM - 同步 ZBT

  • 存储容量:

    9Mb (256K x 36)

  • 时钟频率:

    100MHz

  • 访问时间:

    5ns

  • 存储器接口:

    并联

  • 电压 - 电源:

    3.135V ~ 3.465V

  • 工作温度:

    0°C ~ 70°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    165-TBGA

  • 供应商器件封装:

    165-CABGA(13x15)

更新时间:2026-7-31 18:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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