Chip Diode

发射极控制二极管是英飞凌独特的快速恢复二极管技术。超薄晶圆和场终止技术通过软恢复降低了 IGBT 的通电损耗，使发射极控制二极管非常适用于消费者和工业应用。发射极控制二极管针对英飞凌 IGBT 技术进行了优化。 • 1200V第四代发射极控制二极管技术\n• 软, 快速开关\n• 低反向恢复电荷\n• 低温度系数\n\n优势:;

Emitter Controlled 4 Medium Power Technology

Features: • 1200V Emitter Controlled 4 technology 110μm chip • Soft, fast switching • Low reverse recovery charge • Small temperature coefficient

二极管裸片

适用于低/中功率模块的快速开关发射极控制二极管。 • 1200 V 发射器控制 4 技术。\n• 110 µm 芯片\n • 软开关、快速开关\n • 低反向恢复电荷\n • 小温度系数;

Usable bandwidth 15 MHz each Tx. And Rx. band

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Duplexers

Diode EMCON 4 Medium Power Chip

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封装/外壳：模具 包装：带盒（TB） 描述：DIODE GEN PURP 1.2KV 15A WAFER 分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单