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位置：首页 > IC中文资料第11365页 > IB2012

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IB201209B101QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B102QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B121QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B151QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B170QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B221QN

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RFE

RFE international

IB201209B260QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B301QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B400QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B401QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B600QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B601QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209B800QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

IB201209D110QN

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RFE

RFE international

IB201209F070QN

SURFACE MOUNT BEADS IB Series: Beads

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RFE

RFE international

ESM2012DV

NPN DARLINGTON POWER MODULE

■ HIGH CURRENT POWER BIPOLAR MODULE ■ VERY LOW RthJUNCTION TO CASE ■ SPECIFIED ACCIDENTAL OVERLOAD AREAS ■ ULTRAFAST FREEWHEELING DIODE ■ FULLY INSULATED PACKAGE (UL COMPLIANT) ■ EASY TO MOUNT ■ LOW INTERNAL PARASITIC INDUCTANCE INDUSTRIAL APPLICATIONS: ■ MOTOR CONTROL

STMICROELECTRONICS

意法半导体

F2012

PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR?

General Description Silicon VDMOS and LDMOS transistors designed specifically for broadband RF applications. Suitable for Military Radios, Cellular and Paging Amplifier Base Stations, Broadcast FM/AM, MRI, Laser Driver and others. PolyfetTMrocess features gold metal for greatly extended lifetim

POLYFET

NTE2012

Integrated Circuit 7-Channel Darlington Array/Driver

Description: The NTE2011 through NTE2015 are high–voltage, high–current Darlington arrays in a 16–Lead DIP type package and are comprised of seven silicon NPN Darlington pairs on a common monolithic sub strate. All units have open–collector outputs and integral diodes for inductive load transie

NTE

S2012L

SCRs 1-70 AMPS NON-SENSITIVE GATE

Features ● Electrically Isolated Packages ● High Voltage Capability - 30 - 600 Volts ● High Surge Capability - up to 950 Amps ● Glass Passivated Chip

TECCOR

TYP2012

SCR FOR OVERVOLTAGE PROTECTION

DESCRIPTION The TYP 212 ---> 1012 Family uses high perform ance glass passivated chips technology. These Silicon Controlled Rectifiers are designed for overvoltage protection in crowbar circuits application. FEATURES .HIGH SURGE CURRENT CAPABILITY .HIGH dI/dt RATING .HIGH STABILIT

STMICROELECTRONICS

意法半导体

IB2012产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IB2012

  • 制造商

    RFE

  • 制造商全称

    RFE international

  • 功能描述

    SURFACE MOUNT BEADS IB Series

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更新时间：2026-5-24 8:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
天津市博通航睿技术有限公司
IB2403LS-1W
金升阳
900
询价
深圳市科恒伟业电子有限公司
IB2403LS-1W
MORNSUN
2450+
SIP
9850
只做原装正品现货或订货假一赔十!
询价
深圳阅创想电子实业有限公司
IB2-06
TE
25+
100
原厂现货渠道
询价
洪芯国际半导体（深圳）有限公司
IB2403LS-1W
LISHITJ
26+
原厂原封装
86720
全新原装正品价格最实惠 假一赔百
询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司
IB2405LD-1W
MORNSUN
23+
模块
5000
原装正品,假一罚十
询价
深圳市星辰微电科技有限公司
IB2403LS-1WR3
MORNSUN金升阳
25+
SIP
12500
金升阳电源模块全系列在售
询价
北京京北通宇电子元件有限公司
IB2403LS-1W
EVISUN(易成)
24+
con
10000
查现货到京北通宇商城
询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司
IB2012-U1P1O1
IBANGSZ尔邦
23+
SIP12
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
深圳市嵩宏达科技有限公司
IB2403D
XP
24+
DIP14
5000
全新原装,一手货源,全场热卖!
询价
芯有半导体（深圳）有限公司
IB2403LS-1W
MORNSUN
2012
SIP/DIP
1430
代理稳压模块/一定是全新原厂原装产品
询价

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IB2012数据表相关新闻

  • IAM-20680HT

    进口代理

    2024-1-17

  • i7C4W012A050V-0F1-R

    优势渠道

    2023-9-4

  • IC:SY6874DBC/DFN3×3-10/矽力杰/HF原装现货

    联系人张生 电话19926428992 QQ1924037095

    2021-8-26

  • IAM-20680HP

    IAM-20680HP

    2020-12-24

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    SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器 , BGA-54 SDRAM 动态随机存取存储器 , SDRAM 32 bit 动态随机存取存储器 , 4 Gbit SDRAM - DDR3 动态随机存取存储器 , 512 Mbit SDRAM 32 bit 133 MHz - 40 C 动态随机存取存储器 , 512 Mbit TSOP-54 SDRAM 16 bit 动态随机存取存储器

    2020-7-8

  • IC5205BM5-150mA低噪声LDO稳压器

    概述 MIC5205是一种高效的线性稳压器超低噪声输出，非常低压差（通常在17mV轻载和165mV在150mA），和非常低的地面电流（100mA输出600μA）。 MIC5205提供了更好的超过1％的初始精度。特别是手持，电池供电设备设计，该MIC5205包括一个CMOS或TTL兼容启用/关断控制输入。关机时，功耗下降至接近零。稳压器接地电流增大只是稍微在辍学，进一步延长电池寿命。MIC5205的主要功能包括一个基准旁路脚提高其已经出色的低噪声性能，反相电池保护，电流限制，并过热关机。该MIC5205可在固定和可调输出在一个小型SOT- 23 -5封装电压版本。对于低压差稳

    2013-1-27

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