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H05N60F中文资料

厂家型号

H05N60F

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5

功能描述

N-Channel Power Field Effect Transistor

数据手册

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生产厂商

HSMC

H05N60F数据手册规格书PDF详情

Description

This advanced high voltage MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche mode and switch efficiently. This new high energy device also offers a drain-to-source diode with fast recovery time. Designed for high voltage, high speed switching applications such as power suplies, converters, power motor controls and bridge circuits.

Features

• Higher Current Rating

• Lower RDS(on)

• Lower Capacitances

• Lower Total Gate Charge

• Tighter VSD Specifications

• Avalanche Energy Specified

H05N60F产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H05N60F

  • 制造商

    HSMC

  • 制造商全称

    HSMC

  • 功能描述

    N-Channel Power Field Effect Transistor

更新时间:2025-10-20 14:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
H
22+
TO-220F
6000
十年配单,只做原装
HJ/华昕
23+24
TO-220F
16790
专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC
H
25+
TO-TO-220F
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
ANAM
24+
DIP48
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