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2SK3070L数据手册规格书PDF详情
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
Features
• Low on-resistance RDS(on)= 4.5 mΩ typ.
• Low drive current
• 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
2SK3070L产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SK3070L
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
更新时间：2025-11-25 17:31:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS |
25+ |
100 |
公司现货库存 |
||||
24+ |
30000 |
||||||
JD/晶导 |
23+ |
SMA(DO-214AC) |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
RENESAS |
21+ |
TO-252 |
10 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-252 |
50 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS |
25+ |
TO-252 |
8800 |
公司只做原装,详情请咨询 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
16900 |
原装正品现货支持实单 |
|||
RENESAS |
2511 |
TO-252 |
50 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
2022+ |
TO-263 |
50000 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
22+ |
TO-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
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