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2SJ452数据手册规格书PDF详情
Features
• Low on-resistance.
• Low drive power
• 2.5 V gate drive device.
• Small package (MPAK).
Application
Low frequency power switching
2SJ452产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SJ452
- 制造商
HITACHI
- 制造商全称
Hitachi Semiconductor
- 功能描述
Silicon P-Channel MOS FET
更新时间：2025-10-9 15:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
HITACHI |
2023+ |
SOT-23 |
50000 |
原装现货 |
|||
HITACHI |
2023+ |
SOT-23 |
58000 |
进口原装,现货热卖 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
SOT-23 |
120000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
24+ |
2000 |
||||||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-23 |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
NA/ |
6250 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
原装正品 支持实单 |
|||
RENESAS/瑞萨 |
24+ |
SOT-23 |
60000 |
||||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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