| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6V through 38V of zener voltage provide flexible application. | HITACHIHitachi Semiconductor 日立日立公司 |   | ||
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply Features • Low leakage, low zener impedance and maximum power dissipation of 500 mW are ideally suited for stabilized power supply, etc. • Wide spectrum from 1.6 V through 38 V of zener voltage provide flexible application. | RENESAS 瑞萨 | | ||
500 mW Zener Diode 1.7 to 37.2 Volts Features • Low Leakage • Low Zener Impedance • High Reliability | MCC | | ||
Silicon Epitaxial Planar Zener Diode for Stabilized Power Supply 文件：56.36 Kbytes Page：7 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon Planar Zener Diode for Low Noise Application 文件：77.04 Kbytes Page：6 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
日立 |
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DO-35 |
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RENESAS |
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RENESAS |
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RENESAS/瑞萨 |
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HIT |
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ST |
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