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HYB314265BJL-50

256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM

256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM The HYB 5(3)14265BJ(L) is the new generation dynamic RAM organized as 262 144 words by 16-bit. The HYB 5(3)14265BJ(L) utilizes the SIEMENS 16M-CMOS submicron silicon gate process as well as advanced circuit techniques to provide wide operation margins, both internall

SIEMENS

西门子

HYB314265BJL-50产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    HYB314265BJL-50

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    256K x 16-Bit EDO-Dynamic RAM

更新时间:2025-11-20 16:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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