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HY628100BLT1-I	128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM DESCRIPTION The HY628100B is a high speed, low power and 1M bit CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 8bit. The HY628100B uses high performance CMOS process technology and designed for high speed low power circuit technology. It is particulary well suited for used in high	HYNIX 海力士	HYNIX
HY628100BLT1-I	128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM	HYNIX 海力士	HYNIX
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HY628100BLT1-E	128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM DESCRIPTION The HY628100B is a high speed, low power and 1M bit CMOS Static Random Access Memory organized as 131,072 words by 8bit. The HY628100B uses high performance CMOS process technology and designed for high speed low power circuit technology. It is particulary well suited for used in high	HYNIX 海力士	HYNIX

HY628100BLT1-I产品属性

类型
描述
型号
HY628100BLT1-I
制造商
HYNIX
制造商全称
Hynix Semiconductor
功能描述
128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM

HY628100BLT1-I供应商更多...

更新时间：2026-2-2 16:10:00

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